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BSP51E6327HTSA1

更新时间： 2024-11-29 20:03:51

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	118K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

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BSP51E6327HTSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.97
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

BSP51E6327HTSA1 数据手册

BSP50-BSP52

NPN Silicon Darlington Transistors

• High collector current

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary types: BSP60 - BSP52 (PNP)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Type

Marking

Pin Configuration

Package

SOT223

BSP50

BSP51

BSP52

BSP50 1=B 2=C 3=E

BSP51 1=B 2=C 3=E

BSP52 1=B 2=C 3=E

4=C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

BSP50

CEO

CBO

EBO

BSP51

BSP52

Collector-base voltage

BSP50

BSP51

BSP52

Emitter-base voltage

Collector current

Peak collector current

Base current

100

1.5

Total power dissipation-

tot

T ≤ 124 °C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

¹Pb-containing package may be available upon special request

2007-03-30

12 3 4 5 6 7 8

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