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BSP51-E6433

更新时间： 2024-11-27 20:03:51

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Transistor

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BSP51-E6433 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

BSP51-E6433 数据手册

BSP50-BSP52

NPN Silicon Darlington Transistors

• High collector current

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary types: BSP60 - BSP52 (PNP)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Type

Marking

Pin Configuration

Package

SOT223

BSP50

BSP51

BSP52

BSP50 1=B 2=C 3=E

BSP51 1=B 2=C 3=E

BSP52 1=B 2=C 3=E

4=C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

BSP50

CEO

CBO

EBO

BSP51

BSP52

Collector-base voltage

BSP50

BSP51

BSP52

Emitter-base voltage

Collector current

Peak collector current

Base current

100

1.5

Total power dissipation-

tot

T ≤ 124 °C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

¹Pb-containing package may be available upon special request

2007-03-30

12 3 4 5 6 7 8

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