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BSP51

更新时间: 2024-11-26 22:39:39
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 51K
描述
NPN Darlington transistors

BSP51 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:TransferredReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.22
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):2000JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:1.5 W最大功率耗散 (Abs):1.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
VCEsat-Max:1.3 VBase Number Matches:1

BSP51 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
handbook, halfpage  
BSP50; BSP51; BSP52  
NPN Darlington transistors  
1999 Apr 23  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Apr 22  

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