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BSP50-E6433

更新时间： 2024-11-27 20:03:51

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8页	118K
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Transistor

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BSP50-E6433 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BSP50-E6433 数据手册

BSP50-BSP52

NPN Silicon Darlington Transistors

• High collector current

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary types: BSP60 - BSP52 (PNP)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Type

Marking

Pin Configuration

Package

SOT223

BSP50

BSP51

BSP52

BSP50 1=B 2=C 3=E

BSP51 1=B 2=C 3=E

BSP52 1=B 2=C 3=E

4=C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

BSP50

CEO

CBO

EBO

BSP51

BSP52

Collector-base voltage

BSP50

BSP51

BSP52

Emitter-base voltage

Collector current

Peak collector current

Base current

100

1.5

Total power dissipation-

tot

T ≤ 124 °C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

¹Pb-containing package may be available upon special request

2007-03-30

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSP50H6327XTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP
BSP50-Q	NEXPERIA	获取价格	NPN Darlington transistorProduction
BSP50-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.5 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BSP50T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, BIP
BSP50-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.5 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BSP50-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.5 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BSP50TRL	YAGEO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
BSP50TRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BSP51	NXP	获取价格	NPN Darlington transistors
BSP51	INFINEON	获取价格	NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturatio