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BS616LV2010EIG70

更新时间： 2024-01-08 20:16:45
品牌 Logo 应用领域
BSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 260K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44

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BS616LV2010EIG70 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
端子数量：44字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.000005 A最小待机电流：1.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.03 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

BS616LV2010EIG70 数据手册

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BSI  
BS616LV2010  
„ LOW VCC DATA RETENTION WAVEFORM ( CE Controlled )  
Data Retention Mode  
V
DR ≥ 1.5V  
Vcc  
Vcc  
Vcc  
t
R
t
CDR  
≥
CE Vcc - 0.2V  
VIH  
VIH  
CE  
„ KEY TO SWITCHING WAVEFORMS  
„ AC TEST CONDITIONS  
Input Pulse Levels  
Input Rise and Fall Times  
Input and Output  
Vcc/0V  
1V/ns  
WAVEFORM  
INPUTS  
OUTPUTS  
MUST BE  
STEADY  
MUST BE  
STEADY  
Timing Reference Level  
0.5Vcc  
MAY CHANGE  
FROM H TO L  
WILL BE  
CHANGE  
FROM H TO L  
„ AC TEST LOADS AND WAVEFORMS  
Ω
Ω
1269  
1269  
5PF  
MAY CHANGE  
FROM L TO H  
WILL BE  
CHANGE  
FROM L TO H  
3.3V  
3.3V  
OUTPUT  
OUTPUT  
,
100PF  
DON T CARE:  
CHANGE :  
STATE  
UNKNOWN  
INCLUDING  
JIG AND  
SCOPE  
INCLUDING  
JIG AND  
SCOPE  
ANY CHANGE  
PERMITTED  
Ω
Ω
1404  
1404  
DOES NOT  
APPLY  
CENTER  
FIGURE 1A  
FIGURE 1B  
LINE IS HIGH  
IMPEDANCE  
”OFF ”STATE  
THEVENIN EQUIVALENT  
667  
Ω
OUTPUT  
1.73V  
ALL INPUT PULSES  
Vcc  
GND  
10%  
90% 90%  
10%  
→
→
←
← 5ns  
FIGURE 2  
„ AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA = 0 to + 70oC , Vcc = 3.0V )  
READ CYCLE  
JEDEC  
PARAMETER  
CYCLE TIME : 70ns  
MIN. TYP. MAX.  
CYCLE TIME : 100ns  
MIN. TYP. MAX.  
PARAMETER  
NAME  
DESCRIPTION  
Read Cycle Time  
UNIT  
NAME  
t
t
70  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
100  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
100  
100  
50  
60  
--  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
AVAX  
RC  
t
t
Address Access Time  
70  
70  
40  
50  
--  
AVQV  
AA  
t
t
Chip Select Access Time  
(CE)  
--  
--  
ELQV  
ACS  
t
t
Data Byte Control Access Time  
Output Enable to Output Valid  
Chip Select to Output Low Z  
Data Byte Control to Output Low Z  
Output Enable to Output in Low Z  
Chip Deselect to Output in High Z  
Data Byte Control to Output High Z  
Output Disable to Output in High Z  
(LB,UB)  
--  
--  
BA  
BA  
t
t
--  
--  
GLQV  
OE  
t
t
(CE)  
10  
10  
10  
--  
15  
15  
15  
--  
E1LQX  
CLZ  
t
t
(LB,UB)  
--  
--  
BE  
BE  
t
t
--  
--  
GLQX  
OLZ  
t
t
(CE)  
35  
30  
30  
40  
35  
35  
EHQZ  
CHZ  
t
t
(LB,UB)  
--  
--  
BDO  
BDO  
t
t
--  
--  
GHQZ  
OHZ  
t
t
Data Hold from Address Change  
AXOX  
OH  
10  
--  
--  
15  
--  
--  
ns  
Revision 2.3  
Jan. 2004  
R0201-BS616LV2010  
4
1234567...9

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与BS616LV2010EIG70相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BS616LV2010EIP10 BSI

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 		Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
BS616LV2010EIP70 BSI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
BS616LV2011 BSI

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 		Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
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