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BS616LV2010EIG70

更新时间： 2024-02-22 11:44:29

品牌	Logo	应用领域
BSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	260K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44

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BS616LV2010EIG70 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP44,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
端子数量：	44	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.000005 A	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.03 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BS616LV2010EIG70 数据手册

BSI

BS616LV2010

(1,6)

WRITE CYCLE2

ADDRESS

(11)

(5)

LB,UB

(3)

(2)

(4,10)

(7)

(8)

WHZ

D _OUT

(8,9)

D _IN

NOTES:

1. WE must be high during address transitions.

2. The internal write time of the memory is defined by the overlap of CE and WE low. All signals

must be active to initiate a write and any one signal can terminate a write by going inactive.

The data input setup and hold timing should be referenced to the second transition edge of

the signal that terminates the write.

3. T^WRis measured from the earlier of CE or WE going high at the end of write cycle.

4. During this period, DQ pins are in the output state so that the input signals of opposite phase

to the outputs must not be applied.

5. If the CE low transition occurs simultaneously with the WE low transitions or after the WE

transition, output remain in a high impedance state.

6. OE is continuously low (OE = V^IL).

7. D^OUTis the same phase of write data of this write cycle.

8. D^OUTis the read data of next address.

9. If CE is low during this period, DQ pins are in the output state. Then the data input signals of

opposite phase to the outputs must not be applied to them.

10. Transition is measured ± 500mV from steady state with C^L= 5pF as shown in Figure 1B.

The parameter is guaranteed but not 100% tested.

11. TCW is measured from the later of CE going low to the end of write.

Revision 2.3

R0201-BS616LV2010

Jan.

2004

1...4 5 678 9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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