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BS616LV2010EIG70

更新时间: 2024-02-15 14:08:02
品牌 Logo 应用领域
BSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 260K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44

BS616LV2010EIG70 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16湿度敏感等级:3
端子数量:44字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000005 A最小待机电流:1.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.03 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BS616LV2010EIG70 数据手册

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BSI  
BS616LV2010  
„ SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)  
READ CYCLE1 (1,2,4)  
t
RC  
ADDRESS  
t
AA  
t
OH  
t
OH  
D OUT  
READ CYCLE2 (1,3,4)  
CE  
t
ACS  
t
BA  
LB,UB  
(5)  
CHZ  
t
t
BE  
t
BDO  
(5)  
CLZ  
t
D OUT  
READ CYCLE3 (1,4)  
t
RC  
ADDRESS  
OE  
t
AA  
t
OH  
t
OE  
t
OLZ  
CE  
(5)  
(5) t ACS  
t
t
OHZ  
(1,5)  
CHZ  
t
CLZ  
t
BA  
LB,UB  
D OUT  
t
BE  
t
BDO  
NOTES:  
1. WE is high for read Cycle.  
2. Device is continuously selected when CE = VIL  
3. Address valid prior to or coincident with CE transition low.  
4. OE = VIL  
.
.
±
5. Transition is measured 500mV from steady state with CL = 5pF as shown in Figure 1B.  
The parameter is guaranteed but not 100% tested.  
Revision 2.3  
Jan. 2004  
R0201-BS616LV2010  
5

与BS616LV2010EIG70相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BS616LV2010EIP10 BSI

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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit