Datasheet > BS616LV2010EIG70

BS616LV2010EIG70

更新时间： 2024-02-15 14:08:02

品牌	Logo	应用领域
BSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	260K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BS616LV2010EIG70 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP44,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
端子数量：	44	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.000005 A	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.03 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BS616LV2010EIG70 数据手册

BSI

BS616LV2010

SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)

READ CYCLE1 ^(1,2,4)

ADDRESS

D _OUT

READ CYCLE2 ^(1,3,4)

ACS

LB,UB

(5)

CHZ

BDO

(5)

CLZ

D _OUT

READ CYCLE3 ^(1,4)

ADDRESS

OLZ

(5)

₍₅₎t ACS

OHZ

(1,5)

CHZ

CLZ

LB,UB

D _OUT

BDO

NOTES:

1. WE is high for read Cycle.

2. Device is continuously selected when CE = V^IL

3. Address valid prior to or coincident with CE transition low.

4. OE = V^IL

5. Transition is measured 500mV from steady state with CL = 5pF as shown in Figure 1B.

The parameter is guaranteed but not 100% tested.

Revision 2.3

Jan. 2004

R0201-BS616LV2010

1 2 3 456 7 8 9

中文翻译

下载PDF

与BS616LV2010EIG70相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BS616LV2010EIP10	BSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
BS616LV2010EIP70	BSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
BS616LV2011	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011AC	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011AI	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011DC	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011DI	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011EC	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011EI	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011TC	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit