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BS616LV2010EIG70

更新时间： 2024-02-28 03:09:09

品牌	Logo	应用领域
BSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	260K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44

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BS616LV2010EIG70 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP44,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
端子数量：	44	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.000005 A	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.03 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BS616LV2010EIG70 数据手册

BSI

BS616LV2010

SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)

READ CYCLE1 ^(1,2,4)

ADDRESS

D _OUT

READ CYCLE2 ^(1,3,4)

ACS

LB,UB

(5)

CHZ

BDO

(5)

CLZ

D _OUT

READ CYCLE3 ^(1,4)

ADDRESS

OLZ

(5)

₍₅₎t ACS

OHZ

(1,5)

CHZ

CLZ

LB,UB

D _OUT

BDO

NOTES:

1. WE is high for read Cycle.

2. Device is continuously selected when CE = V^IL

3. Address valid prior to or coincident with CE transition low.

4. OE = V^IL

5. Transition is measured 500mV from steady state with CL = 5pF as shown in Figure 1B.

The parameter is guaranteed but not 100% tested.

Revision 2.3

Jan. 2004

R0201-BS616LV2010

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与BS616LV2010EIG70相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BS616LV2010EIP10	BSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
BS616LV2010EIP70	BSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
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BS616LV2011DC	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
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BS616LV2011EC	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
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