Datasheet > BS616LV2010EIG70

BS616LV2010EIG70

更新时间： 2024-02-09 19:50:00

品牌	Logo	应用领域
BSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	260K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BS616LV2010EIG70 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP44,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
端子数量：	44	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.000005 A	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.03 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BS616LV2010EIG70 数据手册

BSI

BS616LV2010

PIN DESCRIPTIONS

Name

Function

A0-A16 Address Input

These 17 address inputs select one of the 131,072 x 16-bit words in the RAM.

CE Chip Enable Input

WE Write Enable Input

CE is active LOW. Chip enables must be active when data read from or write to the

device. if chip enable is not active, the device is deselected and is in a standby power

mode. The DQ pins will be in the high impedance state when the device is deselected.

The write enable input is active LOW and controls read and write operations. With the

chip selected, when WE is HIGH and OE is LOW, output data will be present on the

DQ pins; when WE is LOW, the data present on the DQ pins will be written into the

selected memory location.

OE Output Enable Input

The output enable input is active LOW. If the output enable is active while the chip is

selected and the write enable is inactive, data will be present on the DQ pins and they

will be enabled. The DQ pins will be in the high impedance state when OE is inactive.

Lower byte and upper byte data input/output control pins.

LB and UB Data Byte Control Input

DQ0 - DQ15 Data Input/Output

Ports

These 16 bi-directional ports are used to read data from or write data into the RAM.

Vcc

Power Supply

Ground

Gnd

TRUTH TABLE

MODE

DQ0~DQ7

DQ8~DQ15

Vcc CURRENT

Not selected

(Power Down)

High Z

I_CCSB, I_CCSB1

Output Disabled

Read

High Z

Dout

High Z

Dout

Din

High Z

Dout

High Z

Din

I_CC

Write

Din

Revision 2.3

Jan. 2004

R0201-BS616LV2010

123 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与BS616LV2010EIG70相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BS616LV2010EIP10	BSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
BS616LV2010EIP70	BSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
BS616LV2011	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011AC	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011AI	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011DC	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011DI	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011EC	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011EI	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011TC	BSI	获取价格	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit

与BS616LV2010EIG70相关文章

LM317T数据手册解读：产品特性、应用、封装与引脚详解
2024-06-14

14
一文带你了解?DB3二极管好坏判断、参数信息、替代推荐
2024-06-14

15
LM358DR数据手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
2024-06-14

10
OP07CP数据手册解读：引脚信息、电子参数
2024-06-14

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BS616LV2010EIG70

BS616LV2010EIG70 技术参数

BS616LV2010EIG70 数据手册

与BS616LV2010EIG70相关器件

与BS616LV2010EIG70相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BS616LV2010EIG70

BS616LV2010EIG70 技术参数

BS616LV2010EIG70 数据手册

与BS616LV2010EIG70相关器件

与BS616LV2010EIG70相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？