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BLY87C/01

更新时间: 2024-09-15 14:48:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 205K
描述
TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power

BLY87C/01 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1.25 A基于收集器的最大容量:20 pF
集电极-发射极最大电压:18 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-CRDB-F4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON极性/信道类型:NPN
最小功率增益 (Gp):9 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):700 MHz
Base Number Matches:1

BLY87C/01 数据手册

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