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BLY90

更新时间： 2024-11-24 22:27:47

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	17K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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BLY90 数据手册

BLY90

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI BLY90 is Designed for

Class A,B and C, 12.5 V High Band

Applications up to 175 MHz.

PACKAGE STYLE .380 4L STUD

.112x45°

FEATURES:

• Common Emitter

• P_G= 5.0 dB at 50 W/175 MHz

• Omnigold™ Metalization System

ØC

MAXIMUM RATINGS

#8-32 UNC-2A

I_C

8.0 A

36 V

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.220 / 5.59

.980 / 24.89

.370 / 9.40

.004 / 0.10

.320 / 8.13

.100 / 2.54

.450 / 11.43

.090 / 2.29

.155 / 3.94

.230 / 5.84

18 V

.385 / 9.78

.007 / 0.18

.330 / 8.38

.130 / 3.30

.490 / 12.45

.100 / 2.54

.175 / 4.45

.750 / 19.05

4.0 V

130 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

1.35 °C/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 100 mA

I_E= 25 mA

4.0

BV_CEO

BV_EBO

h_FE

_CE= 5.0 V

I_C= 1.0 A

200

160

---

V_CB= 15 V

f = 1.0 MHz

f = 175 MHz

130

550

C_c

f_T

V_CE= 10 V

IC = 6.0 A

MHz

5.0

G_P

V_CC= 12.5 V

P_OUT= 50 W

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. B

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLY91A	ASI	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BLY91C	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLY91C	NJSEMI	获取价格	V.H.P POWER TRANSISTOR
BLY91C/01	PHILIPS	获取价格	Transistor,
BLY92	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLY92A	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLY92A	NJSEMI	获取价格	V.H.F POWER TRANSISTOR
BLY92C	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLY92C	NJSEMI	获取价格	V.H.F POWER TRANSISTOR
BLY92C/01	PHILIPS	获取价格	Transistor,