5秒后页面跳转
BLY93H PDF预览

BLY93H

更新时间: 2024-11-05 22:10:07
品牌 Logo 应用领域
ASI 晶体晶体管射频
页数 文件大小 规格书
1页 17K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

BLY93H 技术参数

生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:35 V配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):10最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-CRPM-F4端子数量:4
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):70 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):625 MHz

BLY93H 数据手册

  
BLY93H  
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The ASI BLY93H is Designed for  
Class C, 28 V High Band Applications  
up to 175 MHz.  
PACKAGE STYLE .380 4L STUD  
A
.112x45°  
FEATURES:  
C
B
Common Emitter  
PG = 9.0 dB at 25 W/175 MHz  
Omnigold™ Metalization System  
E
E
ØC  
B
I
D
H
MAXIMUM RATINGS  
J
G
IC  
3.0 A  
65 V  
#8-32 UNC-2A  
F
VCBO  
VCEO  
VEBO  
PDISS  
TJ  
E
MINIMUM  
inches / mm  
MAXIMUM  
inches / mm  
35 V  
DIM  
.220 / 5.59  
.980 / 24.89  
.370 / 9.40  
.004 / 0.10  
.320 / 8.13  
.100 / 2.54  
.450 / 11.43  
.090 / 2.29  
.155 / 3.94  
.230 / 5.84  
A
B
C
D
E
F
G
H
I
4.0 V  
.385 / 9.78  
.007 / 0.18  
.330 / 8.38  
.130 / 3.30  
.490 / 12.45  
.100 / 2.54  
.175 / 4.45  
.750 / 19.05  
70 W @ TC = 25 °C  
-65 °C to +200 °C  
-65 °C to +150 °C  
2.5 °C/W  
TSTG  
θJC  
J
CHARACTERISTICS TC = 25 °C  
SYMBOL  
BVCEO  
NONETEST CONDITIONS  
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS  
IC = 50 mA  
IC = 10 mA  
IE = 10 mA  
35  
V
BVCES  
BVEBO  
ICES  
65  
V
4.0  
V
V
CE = 36 V  
CE = 5.0 V  
4.0  
mA  
---  
hFE  
V
IC = 1.25 A  
10  
100  
COB  
VCB = 28 V  
f = 1.0 MHz  
45  
pF  
GP  
fT  
VCE = 28 V  
VCB = 28 V  
f = 175 MHz  
f = 100 MHz  
9.0  
dB  
---  
IE = 200 mA  
625  
MHz  
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.  
REV. A  
1/1  
7525 ETHEL AVENUE NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004  
Specifications are subject to change witout notice.  

与BLY93H相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BLY94 NJSEMI

获取价格

V.H.P POWER TRANSISTOR
B-M VISHAY

获取价格

JC030-Series Power Modules 18 Vdc to 36 Vdc Inputs 2 Vdc to 15 Vdc Outputs13 W to 30 W
BM00801 ETC

获取价格

INTEGRATED CONNECTOR MODULES
BM0120 ETC

获取价格

20W AUDIO CLASS D+
BM01810 ETC

获取价格

INTEGRATED CONNECTOR MODULES
BM01B-ACHSS-A-GAN-ETF JST

获取价格

该连接器为高密度、低背型、高1.4mm、宽4.3mm、间距1.2mm的线对板连接器。
BM02(3)B-ADHSS-GAN-ETB JST

获取价格

该ADH连接器为高密度、低背型、高1.9mm、宽4.3mm、间距1.3的线对板连接器。
BM02(4.0)B-PBVSS-TF JST

获取价格

该PBV连接器主要用于平板电视印刷电路板的连接,是一种压着式连接器,设计成具有安全的锁定结
BM02B-ACHLKS-GAN-ETF JST

获取价格

该连接器为高密度、低背型、高1.2mm、宽4.7mm、间距1.2mm的线对板连接器。
BM02B-ACHSS-GAN-ETF JST

获取价格

该连接器为高密度、低背型、高1.4mm、宽4.3mm、间距1.2mm的线对板连接器。