生命周期: | Active | 包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.11 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 2 A | 基于收集器的最大容量: | 45 pF |
集电极-发射极最大电压: | 18 V | 配置: | Single |
最小直流电流增益 (hFE): | 10 | 最高频带: | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码: | O-CRPM-F4 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 36 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | RADIAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BLY88C/01 | NXP |
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TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power | |
BLY89 | NXP |
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VHF power transistor | |
BLY89A | NXP |
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TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power | |
BLY89C | NXP |
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VHF power transistor | |
BLY89C | ASI |
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | |
BLY89C | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 18V 6A 4-Pin CRPM | |
BLY90 | ASI |
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | |
BLY91A | ASI |
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NPN SILICON POWER TRANSISTOR | |
BLY91C | ASI |
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | |
BLY91C | NJSEMI |
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V.H.P POWER TRANSISTOR |