BLY92C

更新时间： 2024-11-05 21:55:31

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ASI		晶体射频双极晶体管放大器
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1页	22K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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BLY92C 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-XRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.03	最大集电极电流 (IC)：	4 A
基于收集器的最大容量：	50 pF	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-XRPM-F4
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	36 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BLY92C 数据手册

BLY92C

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The BLY92C is Designed for

Class C FM Amplifier Applications

up to 250 MHz.

PACKAGE STYLE .380" 4L STUD

FEATURES:

• P_G= 11 dB Typical at 175 MHz

• High Load VSWR Capability

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

4.0 A

65 V

I_C

V_CB

V_CE

V_EB

P_DISS

T_J

35 V

4.0 V

40 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

4.4 ^OC/W

1 = COLLECTOR

2 & 4 = EMITTER

3 = BASE

T_STG

θ_JC

ORDER CODE: ASI10758

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CES

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 200 mA

I_E= 10 mA

V_CB= 30 V

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

4.0

2.0

---

h_FE

I_C= 200 mA

P_OUT= 15 W

C_ob

V_CB= 30 V

V_CC= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 175 MHz

P_G

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLY92C/01	PHILIPS	获取价格	Transistor,
BLY92C/01	NXP	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power
BLY92C_07	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLY93A	NJSEMI	获取价格	V.H.F POWER TRANSISTOR
BLY93A	PHILIPS	获取价格	Transistor,
BLY93C	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
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