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BLY93C

更新时间： 2024-11-08 21:55:39

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ASI		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
1页	17K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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BLY93C 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.32
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	70 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	625 MHz

BLY93C 数据手册

BLY93C

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI BLY93C is Designed for

Class C, 28 V High Band Applications

up to 175 MHz.

PACKAGE STYLE .380 4L FLG

FEATURES:

.112 x 45°

Ø.125 NOM.

FULL R

• Common Emitter

• P_G= 9.0 dB at 25 W/175 MHz

• Omnigold™ Metalization System

.125

MAXIMUM RATINGS

I_C

3.0 A

65 V

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

35 V

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

4.0 V

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

70 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

2.5 °C/W

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

T_STG

θ_JC

.240 / 6.10

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_C= 10 mA

I_E= 10 mA

V_CE= 36 V

V_CE= 5.0 V

BV_CES

BV_EBO

I_CES

4.0

---

h_FE

I_C= 1.25 A

100

C_OB

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

G_P

f_T

V_CE= 28 V

V_CB= 28 V

f = 175 MHz

f = 100 MHz

9.0

---

I_E= 200 mA

625

MHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change witout notice.

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与BLY93C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLY93C_07	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLY93H	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLY93H	NJSEMI	获取价格	V.H.F POWER TRANSISTOR
BLY94	NJSEMI	获取价格	V.H.P POWER TRANSISTOR
B-M	VISHAY	获取价格	JC030-Series Power Modules 18 Vdc to 36 Vdc Inputs 2 Vdc to 15 Vdc Outputs13 W to 30 W
BM00801	ETC	获取价格	INTEGRATED CONNECTOR MODULES
BM0120	ETC	获取价格	20W AUDIO CLASS D+
BM01810	ETC	获取价格	INTEGRATED CONNECTOR MODULES
BM01B-ACHSS-A-GAN-ETF	JST	获取价格	该连接器为高密度、低背型、高1.4mm、宽4.3mm、间距1.2mm的线对板连接器。
BM02(3)B-ADHSS-GAN-ETB	JST	获取价格	该ADH连接器为高密度、低背型、高1.9mm、宽4.3mm、间距1.3的线对板连接器。