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BLY88C/01

更新时间: 2024-09-15 14:30:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 197K
描述
TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power

BLY88C/01 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.65最大集电极电流 (IC):2.5 A
基于收集器的最大容量:40 pF集电极-发射极最大电压:18 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):5
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-CRDB-F4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
极性/信道类型:NPN最小功率增益 (Gp):7.5 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):700 MHzBase Number Matches:1

BLY88C/01 数据手册

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