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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | 最大集电极电流 (IC)： | 2.5 A |
| 基于收集器的最大容量： | 40 pF | 集电极-发射极最大电压： | 18 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | NPN | 最小功率增益 (Gp)： | 7.5 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 700 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BLY89 | NXP |
获取价格 |
VHF power transistor |
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| BLY89A | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
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| BLY89C | NXP |
获取价格 |
VHF power transistor |
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| BLY89C | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| BLY89C | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 18V 6A 4-Pin CRPM |
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| BLY90 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
|
| BLY91A | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| BLY91C | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
|
| BLY91C | NJSEMI |
获取价格 |
V.H.P POWER TRANSISTOR |
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| BLY91C/01 | PHILIPS |
获取价格 |
Transistor, |
|
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