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BLF346

更新时间： 2024-11-23 22:39:35

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BLF346 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CERAMIC, FM-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CXFM-F6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	130 W
最大功率耗散 (Abs)：	14 W	最小功率增益 (Gp)：	14 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

BLF346

VHF power MOS transistor

1996 Oct 02

Product speciﬁcation

Supersedes data of September 1992

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLF346,112	ETC	获取价格	RF FET NCHA 65V 16DB SOT119A
BLF346_15	JMNIC	获取价格	VHF power MOS transistor
BLF346_2015	JMNIC	获取价格	VHF power MOS transistor
BLF348	NXP	获取价格	VHF linear push-pull power MOS transistor
BLF368	NXP	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF368	ASI	获取价格	RF POWER VDMOS TRANSISTOR
BLF368,112	NXP	获取价格	BLF368
BLF368_15	JMNIC	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF368_2015	JMNIC	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF369	NXP	获取价格	VHF power LDMOS transistor