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BLF368,112

更新时间： 2024-11-05 21:12:03

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BLF368,112 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DFM	包装说明：	CERAMIC, FM-4
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.26	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	SOURCE	配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A
最大漏极电流 (ID)：	25 A	最大漏源导通电阻：	0.15 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	500 W	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
最小功率增益 (Gp)：	12 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

M3D091

BLF368

VHF push-pull power MOS

transistor

Product speciﬁcation

2003 Sep 26

Supersedes data of 1998 Jul 29

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BLF368	NXP	功能相似	VHF push-pull power MOS transistor
BLF248	NXP	功能相似	VHF push-pull power MOS transistor

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLF368_15	JMNIC	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF368_2015	JMNIC	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF369	NXP	获取价格	VHF power LDMOS transistor
BLF369,112	NXP	获取价格	BLF369
BLF378	NXP	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF378	ASI	获取价格	POWER MOSFET
BLF3G21-30	NXP	获取价格	UHF power LDMOS transistor
BLF3G21-30,112	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C
BLF3G21-6	NXP	获取价格	UHF power LDMOS transistor
BLF3G21-6,112	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A