生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | SOURCE |
配置: | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压: | 65 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 25 A | 最大漏极电流 (ID): | 25 A |
最大漏源导通电阻: | 0.15 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带: | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码: | R-CDFM-F4 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 500 W | 最大功率耗散 (Abs): | 500 W |
最小功率增益 (Gp): | 11 dB | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Powers | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BLF368 | NXP |
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VHF push-pull power MOS transistor | |
BLF368 | ASI |
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RF POWER VDMOS TRANSISTOR | |
BLF368,112 | NXP |
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BLF368 | |
BLF368_15 | JMNIC |
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VHF push-pull power MOS transistor | |
BLF368_2015 | JMNIC |
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VHF push-pull power MOS transistor | |
BLF369 | NXP |
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VHF power LDMOS transistor | |
BLF369,112 | NXP |
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BLF369 | |
BLF378 | NXP |
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VHF push-pull power MOS transistor | |
BLF378 | ASI |
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POWER MOSFET | |
BLF3G21-30 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor |