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BLF348

更新时间: 2024-11-23 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体射频场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 87K
描述
VHF linear push-pull power MOS transistor

BLF348 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:SOURCE
配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):25 A最大漏极电流 (ID):25 A
最大漏源导通电阻:0.15 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F4
元件数量:2端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:500 W最大功率耗散 (Abs):500 W
最小功率增益 (Gp):11 dB认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BLF348 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLF348  
VHF linear push-pull power MOS  
transistor  
October 1992  
Product specification  

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