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MRF174

更新时间: 2024-11-06 14:55:51
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MACOM /
页数 文件大小 规格书
12页 836K
描述
The RF MOSFET Line 125W, 200MHz

MRF174 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, O-XRFM-F4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:1.54
Is Samacsys:N外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):13 A最大漏极电流 (ID):13 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-XRFM-F4元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):270 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MRF174 数据手册

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MRF174  
The RF MOSFET Line  
125W, 200MHz  
Rev. V1  
Designed primarily for wideband largesignal output and driver stages up  
to 200 MHz frequency range.  
Product Image  
NChannel enhancement mode MOSFET  
Guaranteed performance at 150 MHz, 28 Vdc  
Output power = 125 W  
Minimum gain = 9.0 dB  
Efficiency = 50% (min.)  
Excellent thermal stability, ideally suited for Class A operation  
Facilitates manual gain control, ALC and modulation techniques  
100% tested for load mismatch at all phase angles with 30:1 VSWR  
Low noise figure 3.0 dB typ. at 2.0 A, 150 MHz  
CASE 21111, STYLE 2  
1
M/A-COM Technology Solutions Inc. (MACOM) and its affiliates reserve the right to make changes to the product(s) or information contained herein without notice.  
Visit www.macom.com for additional data sheets and product information.  
For further information and support please visit:  
https://www.macom.com/support  

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