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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.21 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.08 A | 基于收集器的最大容量： | 1 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | 最高频带： | L BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 8000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBT5179 | ONSEMI |
功能相似  |
NPN RF晶体管 |
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| MMBT5179 | FAIRCHILD |
功能相似 |
NPN RF Transistor |
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| BFP520 | INFINEON |
功能相似 |
NPN Silicon RF Transistor (For highest gain low noise amplifier at 1.8 GHz and 2 mA / 2 V) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFR193_07 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
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| BFR193E6327 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Bipolar RF Transistor |
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| BFR193E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| BFR193E6327XT | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BFR193F | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
|
| BFR193F-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
| BFR193F-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
| BFR193L3 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
|
| BFR193L3_07 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
|
| BFR193T | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
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