5秒后页面跳转
BFR193 PDF预览

BFR193

更新时间: 2024-11-10 22:40:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 61K
描述
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers)

BFR193 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.21
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.08 A基于收集器的最大容量:1 pF
集电极-发射极最大电压:12 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100最高频带:L BAND
JEDEC-95代码:TO-236JESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.4 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):8000 MHzBase Number Matches:1

BFR193 数据手册

 浏览型号BFR193的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BFR193的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BFR193的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BFR193的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BFR193的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BFR193的Datasheet PDF文件第7页 
BFR 193  
NPN Silicon RF Transistor  
• For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz  
• For linear broadband amplifiers  
f = 8GHz  
T
F = 1.3dB at 900MHz  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
Marking Ordering Code  
Pin Configuration  
Package  
BFR 193  
RCs  
Q62702-F1218  
1 = B  
2 = E  
3 = C  
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
12  
20  
20  
2
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
I
I
80  
10  
mA  
mW  
°C  
C
Base current  
B
Total power dissipation  
P
tot  
T
69 °C  
580  
S
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
T
T
150  
j
- 65 ... + 150  
- 65 ... + 150  
A
stg  
Thermal Resistance  
1)  
Junction - soldering point  
R
140  
K/W  
thJS  
1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.  
S
Semiconductor Group  
1
Dec-11-1996  

BFR193 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT5179 ONSEMI

功能相似

NPN RF晶体管
MMBT5179 FAIRCHILD

功能相似

NPN RF Transistor
BFP520 INFINEON

功能相似

NPN Silicon RF Transistor (For highest gain low noise amplifier at 1.8 GHz and 2 mA / 2 V)

与BFR193相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFR193_07 INFINEON

获取价格

NPN Silicon RF Transistor
BFR193E6327 INFINEON

获取价格

NPN Bipolar RF Transistor
BFR193E6327HTSA1 INFINEON

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
BFR193E6327XT INFINEON

获取价格

暂无描述
BFR193F INFINEON

获取价格

NPN Silicon RF Transistor
BFR193F-E6327 INFINEON

获取价格

Transistor
BFR193F-E6433 INFINEON

获取价格

Transistor
BFR193L3 INFINEON

获取价格

NPN Silicon RF Transistor
BFR193L3_07 INFINEON

获取价格

NPN Silicon RF Transistor
BFR193T VISHAY

获取价格

Silicon NPN Planar RF Transistor