是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.21 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC): | 0.08 A | 基于收集器的最大容量: | 1 pF |
集电极-发射极最大电压: | 12 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | 最高频带: | L BAND |
JEDEC-95代码: | TO-236 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.4 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 8000 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMBT5179 | ONSEMI |
功能相似 |
NPN RF晶体管 | |
MMBT5179 | FAIRCHILD |
功能相似 |
NPN RF Transistor | |
BFP520 | INFINEON |
功能相似 |
NPN Silicon RF Transistor (For highest gain low noise amplifier at 1.8 GHz and 2 mA / 2 V) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BFR193_07 | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor | |
BFR193E6327 | INFINEON |
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NPN Bipolar RF Transistor | |
BFR193E6327HTSA1 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili | |
BFR193E6327XT | INFINEON |
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暂无描述 | |
BFR193F | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor | |
BFR193F-E6327 | INFINEON |
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Transistor | |
BFR193F-E6433 | INFINEON |
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Transistor | |
BFR193L3 | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor | |
BFR193L3_07 | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor | |
BFR193T | VISHAY |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |