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BFR193E6327HTSA1

更新时间： 2024-11-11 14:51:07

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英飞凌 - INFINEON		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	623K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

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BFR193E6327HTSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	4 weeks	风险等级：	1.56
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.58 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	8000 MHz
Base Number Matches：	1

BFR193E6327HTSA1 数据手册

BFR193

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

• For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

• For linear broadband amplifiers

• f = 8 GHz, NF

= 1 dB at 900 MHz

min

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualification report according to AEC-Q101 available

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFR193

Marking

RCs

Pin Configuration

2 = E 3 = C

Package

SOT23

1 = B

Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

580

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

°C

Base current

Total power dissipation

tot

T ≤ 69°C

150

-55 ... 150

Junction temperature

Storage temperature

Stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

140

Unit

K/W

thJS

T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

For calculation of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJS

2014-04-04

12 3 4 5 6

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