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BFR193WE6327

更新时间： 2024-01-08 19:06:52
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 647K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

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BFR193WE6327 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.24Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.08 A基于收集器的最大容量：1 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：8000 MHzBase Number Matches：1

BFR193WE6327 数据手册

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BFR193W  
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor  
• For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz  
• For linear broadband amplifiers  
3
2
1
• f = 8 GHz, NF  
= 1 dB at 900 MHz  
min  
T
• Pb-free (RoHS compliant) package  
• Qualification report according to AEC-Q101 available  
ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
BFR193W  
Marking  
RCs  
Pin Configuration  
2 = E 3 = C  
Package  
SOT323  
1 = B  
Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
12  
20  
20  
2
80  
10  
580  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
mA  
mW  
°C  
I
C
Base current  
Total power dissipation  
I
B
1)  
P
tot  
T ≤ 63°C  
S
150  
-55 ... 150  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
J
T
Stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
150  
Unit  
K/W  
2)  
R
thJS  
1
T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb  
S
2
For calculation of R  
please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)  
thJS  
2014-04-07  
1
123456

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BFR193WE6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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