5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BFR193WE6327
BFR193WE6327 PDF预览

BFR193WE6327

更新时间： 2024-11-11 14:48:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 647K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

阅读下载

中文翻译

获取价格

BFR193WE6327 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
最大集电极电流 (IC)：0.08 A基于收集器的最大容量：1 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.58 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：8000 MHz
Base Number Matches：1

BFR193WE6327 数据手册

 浏览型号BFR193WE6327的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BFR193WE6327的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BFR193WE6327的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BFR193WE6327的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BFR193WE6327的Datasheet PDF文件第6页 
BFR193W  
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor  
• For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz  
• For linear broadband amplifiers  
3
2
1
• f = 8 GHz, NF  
= 1 dB at 900 MHz  
min  
T
• Pb-free (RoHS compliant) package  
• Qualification report according to AEC-Q101 available  
ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
BFR193W  
Marking  
RCs  
Pin Configuration  
2 = E 3 = C  
Package  
SOT323  
1 = B  
Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
12  
20  
20  
2
80  
10  
580  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
mA  
mW  
°C  
I
C
Base current  
Total power dissipation  
I
B
1)  
P
tot  
T ≤ 63°C  
S
150  
-55 ... 150  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
J
T
Stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
150  
Unit  
K/W  
2)  
R
thJS  
1
T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb  
S
2
For calculation of R  
please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)  
thJS  
2014-04-07  
1
123456

中文翻译

下载PDF

BFR193WE6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BFR193W INFINEON

功能相似

 NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broad
BFS520 NXP

功能相似

 NPN 9 GHz wideband transistor

与BFR193WE6327相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFR193W-E6433 INFINEON

获取价格

 		Transistor
BFR194 INFINEON

获取价格

 		PNP Silicon RF Transistor (For low distortion broadband amplifiers in antenna and telecomm
BFR194E6327 INFINEON

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, PNP, SOT-23, 3
BFR1-BL1 HONEYWELL

获取价格

 		Snap Acting/Limit Switch, SPDT, Momentary, 0.5A, 125VDC, 9.4mm, Screw Terminal, Steel Roll
BFR1-BL2 HONEYWELL

获取价格

 		Snap Acting/Limit Switch, SPDT, Momentary, Screw Terminal, Lever Plunger Actuator, Panel M
BFR1-BW4 HONEYWELL

获取价格

 		Snap Acting/Limit Switch, SPDT, Momentary, 0.5A, 125VDC, Screw Terminal, Plunger Actuator,
BFR20 ETC

获取价格

 		Medium Power Amplifiers and Switches
BFR200 PHILIPS

获取价格

 		Transistor,
BFR20-11P1 ITT

获取价格

 		Circular Connector Adapter, 13 Contact(s), Male-Male
BFR20-11S1 ITT

获取价格

 		Circular Connector Adapter, 13 Contact(s), Female-Female

与BFR193WE6327相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证