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BFR193F-E6327

更新时间： 2024-11-12 03:27:47

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Transistor

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BFR193F-E6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	70
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.58 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	6000 MHz	Base Number Matches：	1

BFR193F-E6327 数据手册

BFR193F

NPN Silicon RF Transistor*

• For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

• For linear broadband amplifiers

• f = 8 GHz, F = 1 dB at 900 MHz

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

* Short term description

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking

Pin Configuration

Package

BFR193F

RCs

TSFP-3

1 = B

2 = E

3 = C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

°C

Base current

580

Total power dissipation

tot

T ≤ 72°C

150

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

-55 ... 150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Value

Unit

K/W

Junction - soldering point

≤ 135

thJS

¹Pb-containing package may be available upon special request

²T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

³For calculation of R

please refer to Application Note Thermal Resistance

thJA

2007-03-30

12 3 4 5 6

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