5秒后页面跳转
BFR193E6327 PDF预览

BFR193E6327

更新时间: 2024-11-11 12:53:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 514K
描述
NPN Bipolar RF Transistor

BFR193E6327 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.06Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.08 A基于收集器的最大容量:1 pF
集电极-发射极最大电压:12 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):70最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.58 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):8000 MHz
Base Number Matches:1

BFR193E6327 数据手册

 浏览型号BFR193E6327的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BFR193E6327的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BFR193E6327的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BFR193E6327的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BFR193E6327的Datasheet PDF文件第6页 
BFR193  
NPN Bipolar RF Transistor  
For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz  
For linear broadband amplifiers  
2
1
3
f = 8 GHz, NF  
= 1 dB at 900 MHz  
min  
T
Pb-free (RoHS compliant) package  
Qualification report according to AEC-Q101 available  
ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
BFR193  
Marking  
RCs  
Pin Configuration  
2 = E 3 = C  
Package  
SOT23  
1 = B  
Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
12  
20  
20  
2
80  
10  
580  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
mA  
mW  
°C  
I
C
Base current  
Total power dissipation  
I
B
1)  
P
tot  
T 69°C  
S
150  
-55 ... 150  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
J
T
Stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
140  
Unit  
K/W  
2)  
R
thJS  
1
T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb  
S
2
For calculation of R  
please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)  
thJA  
2012-08-09  
1

BFR193E6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BF771E6327 INFINEON

类似代替

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Silicon, NPN,
BF771 INFINEON

类似代替

NPN Silicon RF Transistor (For modulators and amplifiers in TV and VCR tuners)

与BFR193E6327相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFR193E6327HTSA1 INFINEON

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
BFR193E6327XT INFINEON

获取价格

暂无描述
BFR193F INFINEON

获取价格

NPN Silicon RF Transistor
BFR193F-E6327 INFINEON

获取价格

Transistor
BFR193F-E6433 INFINEON

获取价格

Transistor
BFR193L3 INFINEON

获取价格

NPN Silicon RF Transistor
BFR193L3_07 INFINEON

获取价格

NPN Silicon RF Transistor
BFR193T VISHAY

获取价格

Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR193T INFINEON

获取价格

NPN Silicon RF Transistor
BFR193T_05 VISHAY

获取价格

Silicon NPN Planar RF Transistor