BDX62A

更新时间： 2024-11-04 08:52:07

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	90K
描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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BDX62A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81

BDX62A 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

BDX62/A/B/C

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= -8A

·High DC Current Gain-h_FE= 1000(Min)@ I_C= -3A

·Complement to Type BDX63/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general amplifier

and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-80

UNIT

BDX62

BDX62A

BDX62B

BDX62C

BDX62

-100

-120

-140

-60

Collector-Base

Voltage

V_CBO

BDX62A

BDX62B

BDX62C

-80

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

-100

-120

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-8

-12

Base Current-Continuous

-0.15

Collector Power Dissipation

P_C

T_J

℃

@ T_C=25℃

Junction Temperature

200

Storage Temperature Range

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.94

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDX62B	SEME-LAB	获取价格	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BDX62B	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDX62B	COMSET	获取价格	PNP SILICON DARLINGTONS
BDX62B	TTELEC	获取价格	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BDX62C	COMSET	获取价格	PNP SILICON DARLINGTONS
BDX62C	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDX62C	SEME-LAB	获取价格	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BDX63	SEME-LAB	获取价格	NPN EPITAXIAL BASE DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BDX63	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
BDX63	COMSET	获取价格	NPN SILICON DARLINGTONS