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BD682 PDF预览

BD682

更新时间： 2024-02-01 02:29:38
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 90K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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BD682 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-225AA包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.14
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-225AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BD682 数据手册

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BD677/A/679/A/681  
BD678/A/680/A/682  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER DARLINGTON TRANSISTORS  
■
■
■
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES  
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES  
MONOLITHIC DARLINGTON  
CONFIGURATION  
■
INTEGRATED ANTIPARALLEL  
COLLECTOR-EMITTER DIODE  
APPLICATION  
■
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL  
EQUIPMENT  
1
2
3
SOT-32  
DESCRIPTION  
The BD677, BD677A, BD679, BD679A and  
BD681 are silicon epitaxial-base NPN power  
transistors in monolithic Darlington configuration  
mounted in Jedec SOT-32 plastic package.  
They are intended for use in medium power linar  
and switching applications  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
The complementary PNP types are BD678,  
BD678A, BD680, BD680A and  
respectively.  
BD682  
R1 Typ.= 7K Ω  
R2 Typ.= 230 Ω  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
NPN BD677/A  
BD679/A  
BD681  
BD682  
100  
PNP  
BD678/A  
BD680/A  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage (IE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
60  
60  
80  
V
V
80  
100  
5
V
4
A
ICM  
IB  
Collector Peak Current  
6
0.1  
A
Base Current  
A
Ptot  
Tstg  
Tj  
Total Dissipation at Tc ≤ 25 oC  
Storage Temperature  
40  
W
oC  
oC  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
For PNP types voltage and current values are negative.  
1/6  
September 1997  
123456

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BD682 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD680 STMICROELECTRONICS

类似代替

 Complementary power Darlington transistors
TIP36C STMICROELECTRONICS

类似代替

 COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS
TIP32C STMICROELECTRONICS

类似代替

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与BD682相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD682A COMSET

获取价格

 		SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BD682A ONSEMI

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 		PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS
BD682G ONSEMI

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 		Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons
BD682LEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic
BD682S ONSEMI

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 		4.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
BD682STU FAIRCHILD

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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD682STU ONSEMI

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 		4.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor, 1920-TUBE
BD682T ONSEMI

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 		Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons
BD682TG ONSEMI

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 		Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons
BD683 SAVANTIC

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