BD245

更新时间： 2024-11-26 12:51:11

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COMSET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	75K
描述
NPN SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS

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BD245 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.58	最大集电极电流 (IC)：	10 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	25
最高工作温度：	140 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

BD245 数据手册

BD245 – A – B – C

NPN SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER

TRANSISTORS

They are the power transistors for power amplifier and high-speed-switching applications.

The complementary is BD246, A, B, C

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CEO

Ratings

Value

Unit

BD245

100

BD245A

BD245B

BD245C

BD245

Collector-Emitter Voltage (I_C= -30mA)

BD245A

BD245B

BD245C

115

V_CER

Collector-Emitter Voltage (R_BE= 100 Ω)

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

5.0

I_C

I_CM

I_B

P_T

T_J

T_S

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

_mb= 25° C

Watts

-65 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

R_thJC

R_thJA

Junction to Case Thermal Resistance

Junction to free air Thermal Resistance

1.56

°C / W

22/10/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1/3

12 3

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