BD246

更新时间： 2024-11-26 12:50:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	157K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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BD246 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	4	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

BD246 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

BD246/A/B/C

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= -10A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -45V(Min)- BD246; -60V(Min)- BD246A

-80V(Min)- BD246B; -100V(Min)- BD246C

·Complement to Type BD245/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose power amplifier and

switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-55

UNIT

BD246

BD246A

BD246B

BD246C

BD246

-70

Collector-Emitter

Voltage (R_BE= 100Ω)

V_CER

-90

-115

-45

BD246A

BD246B

BD246C

-60

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

-10

-15

-3

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

Junction Temperature

150

-65~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.56

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BD246A-S	BOURNS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
BD246B	COMSET	获取价格	PNP SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS
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