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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD245B-S | BOURNS |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BD245C | POINN |
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NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
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| BD245C | BOURNS |
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NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
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| BD245C | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| BD245C | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| BD245C | COMSET |
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NPN SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS |
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| BD245C | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin(3+Tab) SOT-93 |
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| BD245C-S | BOURNS |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BD245-S | BOURNS |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BD246 | COMSET |
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PNP SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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