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BD245C

更新时间： 2024-02-12 01:02:55

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3页	145K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BD245C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.69
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	4	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BD245C 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BD245/A/B/C

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type BD246/A/B/C

APPLICATIONS

·For use in medium power linear

and switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BD245

BD245A

BD245B

BD245C

BD245

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

115

BD245A

BD245B

BD245C

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

Collector current-peak

Base current

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

-65~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.56

ꢀ/W

12 3

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