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| BD246A-S | BOURNS |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BD246B | COMSET |
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PNP SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS |
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| BD246B | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| BD246B | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| BD246B | BOURNS |
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PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
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| BD246B | TRSYS |
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PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
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| BD246B | POINN |
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PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
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| BD246B-S | BOURNS |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BD246C | BOURNS |
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PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
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| BD246C | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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