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BD246B

更新时间： 2024-11-26 04:09:11
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伯恩斯 - BOURNS 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 108K
描述
PNP SILICON POWER TRANSISTORS

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BD246B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.77
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：4
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BD246B 数据手册

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BD246, BD246A, BD246B, BD246C  
PNP SILICON POWER TRANSISTORS  
●
Designed for Complementary Use with the  
BD245 Series  
SOT-93 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
●
80 W at 25°C Case Temperature  
10 A Continuous Collector Current  
15 A Peak Collector Current  
B
C
E
1
2
3
Customer-Specified Selections Available  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRAAA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BD246  
-55  
BD246A  
BD246B  
BD246C  
BD246  
-70  
Collector-emitter voltage (RBE = 100 Ω)  
VCER  
V
-90  
-115  
-45  
BD246A  
BD246B  
BD246C  
-60  
Collector-emitter voltage (IC = -30 mA)  
VCEO  
V
-80  
-100  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
-5  
V
A
Continuous collector current  
Peak collector current (see Note 1)  
Continuous base current  
-10  
-15  
A
-3  
80  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load energy (see Note 4)  
Ptot  
Ptot  
W
W
mJ  
°C  
°C  
°C  
3
2
½LIC  
62.5  
Operating junction temperature range  
Tj  
Tstg  
TL  
-65 to +150  
-65 to +150  
250  
Storage temperature range  
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds  
NOTES: 1. This value applies for tp ≤ 0.3 ms, duty cycle ≤ 10%.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.64 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 24 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = -0.4 A, RBE = 100 Ω,  
BE(off) = 0, RS = 0.1 Ω, VCC = -20 V.  
V
JUNE 1973 - REVISED SEPTEMBER 2002  
Specifications are subject to change without notice.  
1
12345

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与BD246B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD246B-S BOURNS

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
BD246C BOURNS

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 		PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD246C ISC

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BD246C SAVANTIC

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