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BD249C

更新时间: 2024-01-28 20:10:16
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统懋 - MOSPEC 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
3页 135K
描述
POWER TRANSISTORS(25A,125W)

BD249C 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:PLASTIC, FM-3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.68
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):25 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):5
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):125 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BD249C 数据手册

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A

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