BD246C

更新时间： 2024-11-03 06:41:51

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	122K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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BD246C 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	4	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO

BD246C 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

BD250/A/B/C

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type BD249/A/B/C

·125 W at 25°C case temperature

·25 A continuous collector current

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-55

UNIT

BD246

BD246A

BD246B

BD246C

BD246

-70

V_CBO

Collector-base voltage

Collector emitter

-90

-115

-45

BD246A

BD246B

BD246C

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-25

Collector current-peak

Base current

-40

-5

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

125

℃

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

℃/W

12 3

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