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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD249B
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BD249B

更新时间： 2024-11-28 04:09:11
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伯恩斯 - BOURNS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 109K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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BD249B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.35
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：25 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

BD249B 数据手册

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BD249, BD249A, BD249B, BD249C  
NPN SILICON POWER TRANSISTORS  
●
Designed for Complementary Use with the  
BD250 Series  
SOT-93 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
●
125 W at 25°C CaseTemperature  
25 A Continuous Collector Current  
40 A Peak Collector Current  
B
C
E
1
2
3
Customer-Specified Selections Available  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRAAA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BD249  
55  
BD249A  
BD249B  
BD249C  
BD249  
70  
Collector-emitter voltage (RBE = 100 Ω)  
VCER  
V
90  
115  
45  
BD249A  
BD249B  
BD249C  
60  
Collector-emitter voltage (IC = 30 mA)  
VCEO  
V
80  
100  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
5
V
A
Continuous collector current  
Peak collector current (see Note 1)  
Continuous base current  
25  
40  
A
5
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load energy (see Note 4)  
Ptot  
Ptot  
125  
3
W
W
mJ  
°C  
°C  
°C  
2
½LIC  
90  
Operating junction temperature range  
Tj  
Tstg  
TL  
-65 to +150  
-65 to +150  
250  
Storage temperature range  
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds  
NOTES: 1. This value applies for tp ≤ 0.3 ms, duty cycle ≤ 10%.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 1 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 24 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = 0.4 A, RBE = 100 Ω,  
BE(off) = 0, RS = 0.1 Ω, VCC = 20 V.  
V
JUNE 1973 - REVISED SEPTEMBER 2002  
Specifications are subject to change without notice.  
1
12345

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