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BD249B

更新时间： 2024-02-24 06:58:39

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	145K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BD249B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, FM-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	25 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BD249B 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BD249/A/B/C

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type BD250/A/B/C

·125 W at 25°C case temperature

·25 A continuous collector current

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BD249

BD249A

BD249B

BD249C

BD249

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

BD249A

BD249B

BD249C

V_CBO

Collector-base voltage

115

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

Collector current-peak

Base current

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

125

-65~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.0

ꢀ/W

12 3

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