BD246B

更新时间： 2024-01-06 11:41:35

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3页	75K
描述
PNP SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS

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BD246B 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.7
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	4	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BD246B 数据手册

BD246, A, B, C

PNP SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER

TRANSISTORS

The BD246 series are PNP power transistors in a TO3PN envelope.

They are the power transistors for power amplifier and high-speed-switching applications.

The complementary is BD245, A, B, C

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BD246

-45

-60

-80

-100

-55

BD246A

BD246B

BD246C

BD246

V_CEO

Collector-Emitter Voltage (I_C= -30mA)

BD246A

BD246B

BD246C

-70

-90

-115

-5.0

-10

V_CER

Collector-Emitter Voltage (R_BE= 100 Ω)

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

I_C

I_CM

-15

I_B

Base Current

-3

P_T

T_J

T_S

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

_mb= 25° C

Watts

-65 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

R_thJC

R_thJA

Junction to Case Thermal Resistance

Junction to free air Thermal Resistance

1.56

°C / W

25/09/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1/3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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