BD245C

更新时间： 2024-01-14 18:19:03

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3页	75K
描述
NPN SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS

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BD245C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.69
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	4	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BD245C 数据手册

BD245 – A – B – C

NPN SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER

TRANSISTORS

They are the power transistors for power amplifier and high-speed-switching applications.

The complementary is BD246, A, B, C

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CEO

Ratings

Value

Unit

BD245

100

BD245A

BD245B

BD245C

BD245

Collector-Emitter Voltage (I_C= -30mA)

BD245A

BD245B

BD245C

115

V_CER

Collector-Emitter Voltage (R_BE= 100 Ω)

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

5.0

I_C

I_CM

I_B

P_T

T_J

T_S

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

_mb= 25° C

Watts

-65 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

R_thJC

R_thJA

Junction to Case Thermal Resistance

Junction to free air Thermal Resistance

1.56

°C / W

22/10/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1/3

12 3

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