BD245C

更新时间： 2024-11-26 12:51:11

品牌	Logo	应用领域
COMSET		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
3页	75K
描述
NPN SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BD245C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	10 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	25
最高工作温度：	140 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz

BD245C 数据手册

BD245 – A – B – C

NPN SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER

TRANSISTORS

They are the power transistors for power amplifier and high-speed-switching applications.

The complementary is BD246, A, B, C

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CEO

Ratings

Value

Unit

BD245

100

BD245A

BD245B

BD245C

BD245

Collector-Emitter Voltage (I_C= -30mA)

BD245A

BD245B

BD245C

115

V_CER

Collector-Emitter Voltage (R_BE= 100 Ω)

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

5.0

I_C

I_CM

I_B

P_T

T_J

T_S

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

_mb= 25° C

Watts

-65 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

R_thJC

R_thJA

Junction to Case Thermal Resistance

Junction to free air Thermal Resistance

1.56

°C / W

22/10/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1/3

12 3

中文翻译

下载PDF

与BD245C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD245C-S	BOURNS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
BD245-S	BOURNS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
BD246	COMSET	获取价格	PNP SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS
BD246	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
BD246	BOURNS	获取价格	PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD246	POINN	获取价格	PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD246	TRSYS	获取价格	PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD246	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Power Transistor
BD246	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 45V 10A 3-Pin(3+Tab) SOT-93
BD246A	TRSYS	获取价格	PNP SILICON POWER TRANSISTORS