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BD246A

更新时间： 2024-01-05 18:44:20

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SAVANTIC		晶体晶体管开关局域网
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3页	145K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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BD246A 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.7
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	4	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BD246A 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

BD246/A/B/C

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type BD245/A/B/C

APPLICATIONS

·For use in medium power linear

and switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-55

UNIT

BD246

BD246A

BD246B

BD246C

BD246

-70

V_CBO

Collector-base voltage

-90

-115

-45

BD246A

BD246B

BD246C

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

-10

Collector current-peak

Base current

-15

-3

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

-65~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.56

ꢀ/W

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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