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BCV26

更新时间： 2024-10-13 22:27:23

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
2页	69K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BCV26 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.12	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	20000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	220 MHz
Base Number Matches：	1

BCV26 数据手册

BCV26, BCV46

PNP

Darlington Transistors

PNP

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Version 2004-01-20

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

1.1

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B1 2 = E2 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25/C)

Grenzwerte (T_A= 25/C)

BCV26

BCV46

60 V

Collector-Emitter-voltage

V_BE= 0

E open

C open

- V_CES

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

30 V

40 V

Collector-Base-voltage

80 V

Emitter-Base-voltage

10 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

250 mW ¹)

500 mA

800 mA

100 mA

150/C

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I_CM

Base current – Basisstrom (dc)

- I_B

T_j

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_S

- 65…+ 150/C

Characteristics (T_j= 25/C)

Kennwerte (T_j= 25/C)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, - V_CB= 30 V

I_E= 0, - V_CB= 60 V

BCV26

BCV46

- I_CB0

–

100 nA

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_C= 0, - V_EB= 10 V

Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. ²)

- I_EB0

–

100 nA

1 V

- I_C= 100 mA, - I_B= 0.1 mA

- V_CEsat

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 :s, Schaltverhältnis # 2%

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCV26,215	NXP	获取价格	BCV26; BCV46 - PNP Darlington transistors TO-236 3-Pin
BCV26,235	NXP	获取价格	BCV26; BCV46 - PNP Darlington transistors TO-236 3-Pin
BCV26/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
BCV26_00	FAIRCHILD	获取价格	PNP Darlington Transistor
BCV26_07	INFINEON	获取价格	PNP Silicon Darlington Transistors
BCV26BK	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCV26D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCV26E6327	ROCHESTER	获取价格	500mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCV26E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCV26E6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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