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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.12 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20000 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCV27 | NXP |
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NPN Darlington transistors |
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| BCV27 | ZETEX |
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NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS |
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| BCV27 | INFINEON |
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NPN Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current) |
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| BCV27 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Darlington Transistor |
|
| BCV27 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| BCV27 | SECOS |
获取价格 |
NPN Darlington Plastic Encapsulated Transistor |
|
| BCV27 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BCV27 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
|
| BCV27 | ONSEMI |
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NPN 达林顿晶体管 |
|
| BCV27 | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN Darlington transistorProduction |
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