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BCV27-MR

更新时间： 2024-02-09 22:52:30

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其他 - ETC		晶体晶体管过程控制系统 PCS
页数	文件大小	规格书
4页	120K
描述
TRANSISTOR BCV27 MINIREEL 500PCS

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BCV27-MR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	20000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

BCV27-MR 数据手册

Discrete POWER & Signal

Technologies

BCV27

SOT-23

Mark: FF

NPN Darlington Transistor

This device is designed for applications requiring extremely

high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from

Process 05.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

1.2

-55 to +150

°C

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

*BCV27

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

350

2.8

357

mW/°C

°C/W

R_θ

*Device mounted on FR-4 PCB 40 mm X 40 mm X 1.5 mm.

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与BCV27-MR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCV27-Q	NEXPERIA	NPN Darlington transistorProduction	获取价格
BCV27S62Z	TI	1200mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	获取价格
BCV27S62Z	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
BCV27-T	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI	获取价格
BCV27T/R	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI	获取价格
BCV27TA	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,	获取价格