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BCV27

更新时间： 2024-10-03 11:12:07

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安世 - NEXPERIA		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	181K
描述
NPN Darlington transistorProduction

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BCV27 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	20000
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	220 MHz	Base Number Matches：	1

BCV27 数据手册

BCV27

NPN Darlington transistor

21 August 2019

Product data sheet

1. General description

NPN Darlington transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

PNP complement: BCV26

2. Features and benefits

•

Medium current of 500 mA

•

Low voltage of 30 V

High DC current gain of minimum 4000

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Preamplifier input amplification

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

V_CBO

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

collector-base voltage open emitter

V_CES

collector-emitter

voltage

base short-circuited to emitter

I_C

collector current

500

800

I_CM

h_FE

peak collector current

DC current gain

V_CE= 5 V; I_C= 100 mA; T_amb= 25 °C

[1]

20000

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02

12 3 4 5 6 7 8

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