Datasheet > BCV27TA

BCV27TA

更新时间： 2024-10-02 21:20:15

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	55K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BCV27TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.12	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	4000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	170 MHz
Base Number Matches：	1

BCV27TA 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

DARLINGTON TRANSISTORS

BCV27

BCV47

ISSUE 3 SEPTEMBER 1995

✪

FEATURES

High V_CEO

Low saturation voltage

COMPLEMENTARY TYPES BCV27 BCV28

BCV47 BCV48

PARTMARKING DETAILS

BCV27 ZFF

BCV47 ZFG

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

BCV27

BCV47

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

800

500

100

330

°C

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

I_B

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL

BCV27

BCV47

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX. MIN. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=10µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

100

µA

V_CB= 30V

100

V_CB= 60V

V_CB=30V,T_amb=150^oC

_CB=60V,T_amb=150^oC

Emitter Base

Cut-Off Current

I_EBO

100

1.0

1.5

100

V_EB=4V

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

1.0

1.5

I_C=100mA,I_B=0.1mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

10K

I_C=100µA, V_CE=1V

I_C=10mA, V_CE=5V*

I_C=100mA, V_CE=5V*

I_C=500mA, V_CE=5V*

10K

20K

Transition Frequency f_T

170 Typical

MHz

I_C=50mA, V_CE=5V

f = 20MHz

Output Capacitance

C_obo

3.5 Typical

V_CB=10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Periodic Sample Test Only.

For typical graphs see FMMT38A datasheet

3 - 22

中文翻译

下载PDF

BCV27TA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BCV27,215	NXP	功能相似	BCV27; BCV47 - NPN Darlington transistors TO-236 3-Pin
BCV27	FAIRCHILD	功能相似	NPN Darlington Transistor

与BCV27TA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCV27-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BCV27-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BCV27TC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
BCV27TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BCV27TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BCV27TRL	NXP	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BCV27TRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BCV27U	SWST	获取价格	达林顿三极管
BCV28	NXP	获取价格	PNP Darlington transistors
BCV28	ZETEX	获取价格	PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

与BCV27TA相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

32
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

29
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BCV27TA

BCV27TA 技术参数

BCV27TA 数据手册

BCV27TA 替代型号

与BCV27TA相关器件

与BCV27TA相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BCV27TA

BCV27TA 技术参数

BCV27TA 数据手册

BCV27TA 替代型号

与BCV27TA相关器件

与BCV27TA相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？