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BCV27D87Z

更新时间: 2024-02-17 07:47:55
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德州仪器 - TI 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 98K
描述
1200mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

BCV27D87Z 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.66
最大集电极电流 (IC):1.2 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):20000
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.25 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):220 MHzBase Number Matches:1

BCV27D87Z 数据手册

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