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BCV27E6327XT

更新时间： 2024-10-03 03:58:59

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	74K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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BCV27E6327XT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	4000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	170 MHz	Base Number Matches：	1

BCV27E6327XT 数据手册

BCV27, BCV47

NPN Silicon Darlington Transistors

• For general AF applications

• High collector current

• High current gain

• Complementary types: BCV26, BCV46 (PNP)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Type

Marking

FFs

Pin Configuration

Package

SOT23

BCV27

BCV47

1=B

2=E

3=C

FGs

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

BCV27

CEO

CBO

EBO

BCV47

Collector-base voltage

BCV27

BCV47

Emitter-base voltage

Collector current

500

800

100

200

360

Peak collector current

Base current

Peak base current

Total power dissipation-

°C

tot

T ≤ 74 °C

150

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

¹Pb-containing package may be available upon special request

2007-04-20

12 3 4 5 6 7 8

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与BCV27E6327XT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCV27E6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BCV27L99Z	TI	获取价格	1200mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BCV27L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BCV27-MR	ETC	获取价格	TRANSISTOR BCV27 MINIREEL 500PCS
BCV27-Q	NEXPERIA	获取价格	NPN Darlington transistorProduction
BCV27S62Z	TI	获取价格	1200mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BCV27S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BCV27-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
BCV27T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
BCV27TA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,