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BCV26L99Z

更新时间： 2024-10-02 21:18:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 37K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BCV26L99Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
最大集电极电流 (IC)：1.2 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：20000
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：220 MHzBase Number Matches：1

BCV26L99Z 数据手册

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Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
BCV26  
C
E
SOT-23  
Mark: FD  
B
PNP Darlington Transistor  
This device is designed for applications requiring extremely high  
current gain at currents to 800 mA. Sourced from Process 61.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
30  
V
V
V
A
Collector-Base Voltage  
40  
10  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
1.2  
-55 to +150  
C
°
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
*BCV26  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25 C  
350  
2.8  
mW  
mW/ C  
°
°
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
357  
Rθ  
C/W  
°
JA  
*Device mounted on FR-4 PCB 40 mm X 40 mm X 1.5 mm.  
ã 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234

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与BCV26L99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCV26LEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
BCV26S62Z TI

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 		1200mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BCV26S62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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 		暂无描述
BCV26T/R NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
BCV26TA DIODES

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