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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.12 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20000 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 220 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCV26TA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| BCV26-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCV26-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCV26TC | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
|
| BCV26TR | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCV26TR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCV26TRL | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BCV26TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCV26TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCV27 | NXP |
获取价格 |
NPN Darlington transistors |
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