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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.12 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20000 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 220 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCV26-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCV26TC | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| BCV26TR | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCV26TR13 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCV26TRL | NXP |
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暂无描述 |
|
| BCV26TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCV26TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCV27 | NXP |
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NPN Darlington transistors |
|
| BCV27 | ZETEX |
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NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS |
|
| BCV27 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current) |
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