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BCV26E6327HTSA1

更新时间： 2024-02-09 12:38:02
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 光电二极管晶体管
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7页 523K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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BCV26E6327HTSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：6.27
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：4000
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

BCV26E6327HTSA1 数据手册

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BCV26, BCV46  
PNP Silicon Darlington Transistors  
• For general AF applications  
• High collector current  
• High current gain  
2
1
3
• Complementary types: BCV27, BCV47 (NPN)  
• Pb-free (RoHS compliant) package  
• Qualified according AEC Q101  
Type  
BCV26  
BCV46  
Marking  
FDs  
FEs  
Pin Configuration  
Package  
SOT23  
SOT23  
1=B  
1=B  
2=E  
2=E  
3=C  
3=C  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
BCV26  
BCV46  
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
30  
60  
Collector-base voltage  
BCV26  
BCV46  
40  
80  
10  
500  
800  
100  
200  
360  
Emitter-base voltage  
Collector current  
mA  
I
C
Peak collector current, t ≤ 10 ms  
I
CM  
I
B
p
Base current  
Peak base current  
Total power dissipation-  
I
BM  
mW  
°C  
P
tot  
T ≤ 74 °C  
S
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
2011-10-05  
1
1234567

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BCV26E6327HTSA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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